【3/14】世界初 名古屋大がSi基板で酸化ガリウム量産コスト激減へ

RECAST [keizai] NEWS (聞く経済ニュース) · Mar 14, 2026 · 21m

名古屋大学が世界初のシリコン基板への酸化ガリウムヘテロエピ成長を達成。SiCやGaNを上回る第四世代パワー半導体の量産コスト削減・熱問題・ガリウム地政学リスクに同時対応する技術的突破口を解説。

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・世界初達成 名古屋大学のSi基板ヘテロエピ成長がGa₂O₃デバイスのコスト構造を根本から変える

・SiCの10分の1の電力損失 第四世代半導体・酸化ガリウムのBFOM3000超という物性的優位性とは

・HD-ORS開発で量産化への扉が開く 成長速度10倍化と工業スケール対応プロセスの全貌

・長年の難題を突破 NiO拡散層によるpnダイオード実現がGa₂O₃デバイス実用化を加速する

・中国ガリウム輸出禁止の死角 Si基板技術が持つサプライチェーンリスクヘッジとしての戦略的意義

・NCT・FLOSFIA・名古屋大学 日本が握る酸化ガリウム半導体エコシステムの世界的優位

・楽観シナリオと悲観シナリオ Ga₂O₃量産化の課題と2030年代の電力半導体市場転換の可能性

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・名古屋大学公式プレスリリース（英語）…