【9/22】AI半導体の電源はパッケージへ 4階層の構造変化

RECAST [keizai] NEWS (聞く経済ニュース) · Sep 22, 2026 · 19m

AI半導体の動作電圧は1ボルト以下、消費電力は数キロワット級。村田製作所の役員は、電源の制約が部品の量から経路の距離へ移ったと指摘します。

基板裏面から半導体の真下へ移る垂直給電、パッケージ内のシリコンキャパシタ、TSMCの統合型電圧調整器と裏面給電、NVIDIAの800ボルト直流化まで、4つの階層で進む電源の作り替えを読み解きます。

公式noteで詳細テキストレポート公開中！

https://note.com/kiku_keizai

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・AI半導体の電源問題 電圧1ボルト以下と数キロワットの電流

・寄生インダクタンスと電圧降下 コンデンサの量より経路の距離

・垂直給電 Empowerの薄型変換器とSarasの基板埋め込み部品

・パッケージ内のシリコンキャパシタ 半導体から50から100マイクロメートル

・TSMCの統合型電圧調整器とA16の裏面給電

・NVIDIAの800ボルト直流化 2027年に1メガワット級ラック

・村田製作所 コンデンサ30%増とシリコンキャパシタの位置づけ

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一次情報ソース

・EE Times https://www.eetimes.com/when-the-package-becomes-an-electrical-design-variable/

・Electronic Design…