臺灣團隊首創「臨場顯微半導體檢測技術」直接揭示次世代電晶體微縮關鍵

TechOrange 科技報橘 · Jul 16, 2026

國科會長期布局後摩爾時代半導體關鍵技術，透過「Å世代前瞻半導體技術專案計畫」推動次世代元件檢測技術研發。在國科會支持下，國立臺灣大學物理學系教授邱雅萍首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術（Operando Cross-sectional STM）」，並與國立臺灣師範大學物理學系教授藍彥文及新加坡國立大學教授李連忠研究團隊合作，首次在先進二維半導體電晶體元件實際運作狀態下，以原子級空間解析度直接量測金屬/半導體接觸邊緣的電子轉移長度（transfer length），為評估電晶體微縮潛力提供重要檢測突破。此開創性的檢測技術，突破過去僅能依賴理論模擬推估的限制，直接揭示次世代半導體元件微縮關鍵實驗證據。本研究成果已於 2026 年 7 月 1 日正式發表於國際頂尖學術期刊《自然》（Nature）。 隨著人工智慧運算、資料中心與行動裝置對高效能、低功耗晶片需求持續增加，半導體元件持續微縮已成為全球科技發展的核心課題。二維半導體因具有原子級厚度與優異的閘極控制能力，被視為後摩爾時代延續先進邏輯元件微縮的重要候選材料。然而，電晶體能否持續微縮並應用於未來晶片技術，不僅取決於通道長度，金屬接觸區的品質同樣是關鍵因素。…