Intel 率先把 High-NA EUV 帶進 18A，台積電卻延後導入：曝光成本高 2.5 倍，誰算對了這筆帳？
荷蘭半導體曝光設備巨頭艾司摩爾（ASML）在 2026 年第二季繳出亮眼成績單：單季淨銷售額高達 93 億歐元，淨利潤達 29 億歐元，毛利率為 54.0%。隨著全球 AI 基礎設施與技術蓬勃發展，先進邏輯與記憶體晶片需求持續上揚，促使晶片製造大廠紛紛加速產能擴張計畫。在這股強勁動能推升下，ASML 也決定將 2026 年全年營收預測大幅上調至 430 億至 450 億歐元。 與此同時，全球半導體曝光技術也迎來里程碑式的跨越：Intel 正式成為全球首家使用 ASML 最新一代「高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）」曝光機製造並出貨高量產邏輯產品的公司，將這項被視為 sub-2nm 晶片製造關鍵的技術，從實驗研發階段帶入商業量產軌道。 然而，並非所有晶圓代工巨頭都選擇在此時跟進。全球晶圓代工龍頭台積電仍採取經濟性導向的策略，認為最新一代 High-NA EUV 設備對目前的大規模量產而言過於昂貴，計畫在未來合適時機才轉向這項技術。不僅如此，台積電近期也針對 ASML 同時調漲極紫外光（EUV）與深紫外光（DUV）曝光設備價格的計畫展開談判，並表達反對。這場技術與成本的角力，也揭開半導體製造下一階段「經濟可行性」的競爭。 Intel 將 High-NA 帶進量產，但只用在特定 18A 製程層 這場 High-NA EUV 的商用首戰，從 Intel 位於美國奧勒岡州…
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