Latest / The Long View / 2026-05-25 · 特辑|Huawei LogicFolding:没有 EUV 也要造最先进的芯片
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- 0:00欢迎收听The Long View。
- 0:01今天这一期是一期特辑—我们花一个小时,
- 0:04慢慢讲清楚一件事,二〇二六年五月二十五号,
- 0:08也就是今天上午,Huawei海思总裁何庭波在上海一个学术会议上的演讲。
- 0:15她宣布了一套名字叫Tau Scaling Law的新理论,
- 0:18一种叫做LogicFolding的芯片架构,
- 0:21以及一套配套的系统级协议UnifiedBus。
- 0:25她最具冲击力的承诺只有一句话—不依赖A S M L的E U V光刻机,
- 0:30到二〇三一年也能造出晶体管密度等于1.41.41.4纳米节点的高端芯片。
- 0:36当天下午,A股科创板五十指数一度涨了将近百分之六,
- 0:40中芯国际、华虹半导体双双涨停。
- 0:44听完这一句你可能会问,这到底是真突破还是营销话术?
- 0:48E U V是什么?
- 0:49为什么E U V是中美芯片战的命门?
- 0:52LogicFolding是什么?
- 0:54Tau Scaling Law又是什么?
- 0:56这一期我们慢慢拆。
- 0:58听完一个小时,你就能比百分之九十九的财经新闻读者,
- 1:02对这件事听得更深一层。
- 1:05我们先从这条新闻本身讲起。
- 1:07二〇二六年五月二十五号,星期一的上午十点,
- 1:10上海国际会议中心。
- 1:12一场叫做I S C A S的学术会议在这里开幕—全称是I E E E国际电路与系统研讨会,
- 1:20英文叫 International Symposium on Circuits and Systems。
- 1:25这是电路与系统领域全球最重要的学术会议之一,
- 1:28往年通常在欧美轮流举办,今年由中国电子学会承办,
- 1:32把会场搬到了上海。
- 1:34开幕主旨演讲的讲台上,站的是何庭波—Huawei公司董事、
- 1:38海思总裁,海思英文叫HiSilicon,
- 1:41是Huawei整个芯片业务的运营主体。
- 1:44她是Huawei芯片业务的最高负责人,
- 1:46演讲题目叫《新半导体路径的探索与实践》。
- 1:51何庭波非常少在媒体面前公开露面。
- 1:53上一次大众听到她的名字,是二〇一九年五月美国把Huawei列入实体清单的第二天。
- 2:00她以"备胎转正"为题,写给海思员工的一封内部信刷屏全网。
- 2:06从那以后六年,她把自己藏在Huawei芯片业务的最深处。
- 2:09这次她出来讲话,不是讲一颗芯片、一款产品,
- 2:13而是讲一整套取代摩尔定律的新理论。
- 2:16她当天宣布了三件事,一件比一件大。
- 2:19第一件,是一套名字叫Tau Scaling Law的新缩放法则。
- 2:25Tau这个字母在数学和物理里通常代表时间常数,
- 2:29所以中文可以叫"时间缩放定律"。
- 2:32Huawei内部把它戏称为"Her's Law"—取她姓"何"的英文谐音。
- 2:37第二件,是这套法则在芯片层面的具体实现,
- 2:41叫LogicFolding架构。
- 2:43第三件,是配套的系统级互联方案,叫UnifiedBus。
- 2:48最具冲击力的承诺出现在演讲之后她接受记者提问时。
- 2:52她说,今年秋天的Kirin手机芯片,
- 2:54会是第一颗全面采用LogicFolding架构的产品;
- 2:57到二〇三一年,Huawei的高端芯片,
- 3:00晶体管密度将与1.41.41.4纳米节点相当。
- 3:041.41.41.4纳米是什么概念?
- 3:05台积电也就是T S M C,他们对1.41.41.4纳米的量产规划是二〇二八年。
- 3:11Huawei说自己晚三年追上。
- 3:14听起来不太可能,但消息一出,下午A股市场涨疯了。
- 3:19这就是今天的新闻。
- 3:20但你光听新闻没法判断这件事到底意味着什么。
- 3:24芯片行业的所有关键词—晶体管、纳米、
- 3:27E U V、D U V、多重曝光、3D堆叠、
- 3:31Tau缩放、UnifiedBus—每一个背后都是几十年的工程积累。
- 3:36所以这期节目我设计成一条从浅到深的路径,
- 3:40十站走完。
- 3:41第一站,我们说清楚"几纳米"到底是什么。
- 3:44这个数字今天已经成了营销标签,远不再是字面意义上的物理尺寸。
- 3:49第二站,讲摩尔定律为什么开始变慢—我们今天遇到的所有问题都从这里来。
- 3:56第三站,走一遍芯片是怎么从沙子变成成品的,
- 3:59前端工艺、后端工艺、封装,每个环节在Huawei的故事里都扮演角色。
- 4:05第四站,关键词速查,把十五个最常用的术语一次性建立起来。
- 4:11第五站,进入技术深水区—E U V为什么是命门,
- 4:14D U V多重曝光为什么能绕开它,3D堆叠为什么是未来。
- 4:19第六站,回头细拆Huawei周一到底说了什么—Tau Scaling Law的真正含义,
- 4:24LogicFolding的三层架构,
- 4:26Kirin202620262026202620262026的具体数字。
- 4:28第七站,市场和产业怎么反应,A S M L、
- 4:32台积电、Nvidia各自该担心什么。
- 4:35第八站,地缘政治维度—这件事如果是真的,
- 4:39美国对华芯片出口管制的逻辑该不该改。
- 4:42第九站,未来三到五年最值得盯的五件事。
- 4:47第十站,三个值得记住的判断—一年后你忘掉所有技术细节,
- 4:52希望还能记住的三句话。
- 4:54请你跟我慢慢走。
- 4:56第一站。
- 4:57先把"几纳米"这件事讲清楚。
- 4:59听新闻的人最容易被骗的就是这个词—"5纳米芯片"、
- 5:03"3纳米芯片"、"1.41.41.4纳米芯片"。
- 5:06一个1.41.41.4纳米的东西意味着什么?
- 5:09一根头发的直径,大约是七万五千纳米。
- 5:12新冠病毒的直径,大约一百纳米。
- 5:15一个硅原子的直径,大约零点二纳米。
- 5:18如果1.41.41.4纳米真的是某个物理结构的尺寸,
- 5:20那它就只有大约七个硅原子那么宽—已经接近原子尺度的下限。
- 5:26但这个数字今天根本不是物理尺寸。
- 5:28它是一个营销标签。
- 5:29这是听懂这期节目最重要的第一件事。
- 5:33我们倒回来讲。
- 5:33二十世纪七十到九十年代,"几微米"或"几百纳米"这种说法是有物理意义的—它指的是晶体管栅极的实际长度,
- 5:41英文叫gate length。
- 5:43一九七一年Intel出的第一颗微处理器4004400440044004,
- 5:46用的是十微米工艺,意思就是晶体管栅极长度大约就是十微米,
- 5:51也就是一万纳米。
- 5:53一九八九年Intel486486486486486用一微米工艺。
- 5:56二〇〇〇年的Pentium4用一百八十纳米。
- 6:00这些数字直接对应栅极尺寸,描述的是一个真实可量的物理长度。
- 6:06但到了二十二纳米以下,这个对应关系崩了。
- 6:09原因是工程师们引入了一个新的晶体管结构,
- 6:12叫FinFET—中文叫鳍式场效应晶体管。
- 6:17它把晶体管从平面的二维结构,变成了立体的三维鳍片结构,
- 6:21栅极绕着鳍片包裹一圈。
- 6:23这种结构的"长度"该怎么算?
- 6:25是鳍片的高度?
- 6:27还是栅极绕一圈的总长度?
- 6:29还是鳍片之间的间距?
- 6:31没有任何一个单一的物理尺寸,可以再代表整代工艺。
- 6:35于是从大约十四纳米开始,"几纳米"这个词就脱离了物理含义,
- 6:40变成了一个节点名—英文叫node name,
- 6:43是各家代工厂自己起的代号。
- 6:46这就像汽车工业里"M3"不是车的物理参数,
- 6:49"Series 7""也不是真有七排座椅。
- 6:53它只代表这一代工艺整体的等效性能水平—大约对应"如果还在传统平面晶体管路线上,
- 6:59应该达到这种密度、这种功耗、这种速度"。
- 7:03举个最直接的例子。
- 7:04台积电的N5工艺,也就是俗称的"5纳米",
- 7:08里面晶体管栅极的实际物理长度,大约还是二十多纳米。
- 7:13Intel的7纳米工艺—后来Intel自己改名叫Intel4—栅极实际长度也是二十多纳米。
- 7:19Samsung的5纳米又是另一回事。
- 7:22三家代工厂的"5纳米"互相之间不能直接换算。
- 7:27所以今天衡量一代工艺真正好坏的指标,
- 7:29不是名字里那个数字,而是每平方毫米的晶体管数量。
- 7:33这个指标的英文缩写叫M T r每平方毫米—M T r就是 million transistors,
- 7:39每平方毫米能塞多少百万颗晶体管。
- 7:43这才是物理上可比的。
- 7:45我们把几个标杆点放在一起,你就有了一把尺。
- 7:48二〇一七年的Nvidia V100100,
- 7:50用十二纳米工艺,每平方毫米大约二十五个百万晶体管。
- 7:56二〇二二年的Nvidia H100100,
- 7:58用台积电4纳米工艺,每平方毫米一百一十个百万晶体管。
- 8:03台积电N3工艺,也就是3纳米—Apple的A1717Pro、
- 8:08M3用的就是这个—每平方毫米二百三十个百万晶体管。
- 8:14台积电N2,也就是2纳米,今年开始试产,
- 8:16每平方毫米二百八十个百万晶体管。
- 8:19台积电的A1414—也就是1.41.41.4纳米,
- 8:22他们预计二〇二八年量产—每平方毫米三百六十个百万晶体管。
- 8:28记住这几个数字。
- 8:29Huawei周一公布的数字是这样:今年秋天发布的Kirin202620262026202620262026芯片,
- 8:34密度达到二百三十八个百万晶体管每平方毫米—和台积电N3同一个水平。
- 8:41这是非常硬的数字,如果属实,说明Huawei已经在工艺等效层面追到了3纳米这一档。
- 8:48然后她说到二〇三一年要做到1.41.41.4纳米等效,
- 8:51意思就是三百六十个百万晶体管每平方毫米那个水平。
- 8:57请记住这一点。
- 8:58以后你听到任何"几纳米",先在脑子里换算成"每平方毫米多少颗晶体管"再判断。
- 9:05"1.41.41.4纳米"四个字给普通人的震撼很大,
- 9:07但它的物理意义只是"每平方毫米塞进去三亿六千万颗晶体管"。
- 9:13为什么塞越多越好?
- 9:14因为芯片的性能、功耗、面积这三个指标—业内叫P P A,
- 9:19performance per power per area—三者全靠晶体管密度。
- 9:24同等面积下晶体管越多,要么算力越强,
- 9:27要么功耗越低,要么芯片可以做得更小卖得更便宜。
- 9:32这就是过去五十年整个半导体产业拼命往下做尺寸的根本动力。
- 9:37第二站。
- 9:38摩尔定律为什么开始变慢—一段五十年的疲态史。
- 9:43要听懂Huawei为什么这时候要提出一套"取代摩尔定律"的新理论,
- 9:47必须先理解:摩尔定律已经不行了。
- 9:50这不是Huawei一家说的,是全行业的共识。
- 9:54摩尔定律是Intel联合创始人Gordon Moore在一九六五年,
- 9:58发表在《电子学杂志》上的一篇短文里提出的观察。
- 10:02原文很朴素—一颗经济最优的芯片上,能集成的晶体管数量,
- 10:06每年大约翻一倍。
- 10:08一九七五年他修订为每两年翻一倍。
- 10:12Moore当时只敢预测这条规律会持续十年。
- 10:15实际上,它持续了大约五十年。
- 10:19但今天看这条曲线,必须分清楚两件不同的事。
- 10:23第一件叫摩尔定律本身—每块芯片的晶体管数量翻倍。
- 10:28这条规律勉强还在延续。
- 10:31二〇二二年的H100100有八百亿颗晶体管,
- 10:33二〇二四年的B200200有两千零八十亿颗,
- 10:37Cerebras的晶圆级芯片有四万亿颗。
- 10:41数字上还在涨。
- 10:43第二件叫Dennard缩放—这条早死了。
- 10:47一九七四年I B M的Robert Dennard发现,
- 10:51晶体管尺寸缩小的同时,电压可以同步降低,
- 10:55因此每单位面积的功耗保持不变。
- 10:59这是过去四十年C P U主频能从五兆赫飙到五千兆赫还没烧掉的根本原因—尺寸越小,
- 11:06电压越低,热密度被电压的下降抵消了。
- 11:10Dennard缩放在二〇〇五年前后死亡。
- 11:12原因是物理。
- 11:14电压不能再低于大约零点七伏特,否则晶体管的开关就不可靠了。
- 11:19硅的禁带宽度是一点一二电子伏特,亚阈值漏电流在零点七伏以下会指数级飙升。
- 11:27结果就是芯片主频从那以后卡在四到五千兆赫上不去了。
- 11:31二〇〇四年Intel原计划做到七千兆赫的Tejas芯片,
- 11:35就此取消。
- 11:37Dennard死了之后,整个行业的应对策略是这样四个阶段。
- 11:41二〇〇五到二〇一五年,是多核时代。
- 11:43一颗八千兆赫的核做不到,那就做八颗三千兆赫的核。
- 11:48但这受Amdahl定律限制—软件里只要有任何串行部分,
- 11:52并行加速的上限就是固定的。
- 11:56多核对独立任务比如网页服务器、批处理有效,
- 11:59对紧耦合任务无效。
- 12:02二〇一〇年代,是S I M D时代。
- 12:04S I M D是单指令多数据,把数据通路加宽,
- 12:08一条指令同时处理八个三十二位加法。
- 12:12指令取指和解码的开销可以摊薄。
- 12:15二〇一五年至今,是专用加速器时代。
- 12:18既然通用C P U没法再快,那就为不同工作负载造不同的芯片。
- 12:22Google T P U把百分之三十的晶圆面积全给了一个巨大的矩阵乘法器。
- 12:28Groq的T S P几乎全是计算和片上S R A M、
- 12:31没有缓存。
- 12:32Cerebras把整个晶圆当一颗芯片用。
- 12:35A I加速器产业不是计算机产业的边支,
- 12:38它是Dennard缩放终结的直接继承人。
- 12:42摩尔定律本身也开始撞墙。
- 12:44台积电N5的每颗晶体管成本,和二十八纳米节点基本一样了—摩尔定律的经济基础,
- 12:50也就是"每代节点单晶体管成本下降",
- 12:53从大约十四纳米节点开始崩。
- 12:56每代新工艺的研发投入数百亿美元、设计一颗顶级芯片掏五亿美元起、
- 13:01全球只剩三家代工厂能做先进制程—台积电、
- 13:06Samsung、Intel—到二〇三〇年可能就只剩台积电一家。
- 13:11所以今天行业的共识是:几何缩放已经到极限。
- 13:14要在这之上继续提升芯片性能,要么靠封装—比如chiplet、
- 13:19CoWoS、3D堆叠;
- 13:21要么靠架构—比如专用化、特殊指令集;
- 13:25要么靠系统—比如多颗芯片用网络连成超级集群。
- 13:29台积电、Intel、I B M的工程师们都在公开演讲里讲这件事讲了七八年了。
- 13:36SemiAnalysis在二〇二三年底的一份报告里明确写—从二维几何缩放转向三维堆叠,
- 13:43是芯片演化的自然拐点,时间大约在二〇三〇年的1纳米节点。
- 13:49Huawei周一其实就是把全行业都在说的话,
- 13:52包装成一个名字喊出来—叫Tau Scaling Law。
- 13:56它的真正聪明之处不在于发明了新物理,
- 13:59而在于把这件事从被动妥协翻译成主动战略。
- 14:04你们美国公司一直把这条路看成"摩尔定律走到尽头之后不得已的下一步";
- 14:09我们Huawei把它定位成"我们这一代人的新摩尔定律"。
- 14:13这是品牌战略上的高超动作。
- 14:16何庭波在演讲里这么说—不是饱和,不是延续,
- 14:19而是一次大跨越。
- 14:21她的话术非常清楚:故事不是"我们追上你们",
- 14:24而是"我们换条路赛跑"。
- 14:27第三站。
- 14:28芯片是怎么造出来的—一个十二周的工业奇迹。
- 14:32要理解LogicFolding这种工艺创新到底碰了哪些环节,
- 14:35得先大致走一遍芯片是怎么造出来的。
- 14:39从硅砂到一颗能装进iPhone的芯片,
- 14:41整个流程大约十二到十六周,要经过约一千道工序,
- 14:45建一座先进制程的晶圆厂要花至少两百亿美元。
- 14:50整个流程可以分五大阶段。
- 14:52第一阶段:从沙子到晶圆。
- 14:54石英砂—化学式是二氧化硅—在电弧炉里被还原成纯度大约百分之九十八的金属硅。
- 15:03再用一种叫西门子工艺的化学气相沉积法,
- 15:07把它提纯到百分之九十九点九九九九九九九九九的电子级多晶硅—这是九个九,
- 15:14俗称"九N硅"。
- 15:16然后用Czochralski法把多晶硅熔化,
- 15:18把一颗种子晶体浸进熔液慢慢拉出来,长成一根直径三百毫米的圆柱形单晶硅锭,
- 15:25英文叫boule。
- 15:27boule用金刚石线切割成厚约七百七十五微米的晶圆,
- 15:30再抛光到原子级平整。
- 15:33一片裸晶圆大约一百美元。
- 15:35这个环节由Shin-Etsu、SUMCO、
- 15:38GlobalWafers等专业晶圆供应商负责。
- 15:42第二阶段:前端工序。
- 15:43英文叫F E O L,全称Front-End-Of-Line。
- 15:47这是在晶圆上造晶体管的过程。
- 15:50流程大致是这样—先在硅表面氧化出一层薄薄的二氧化硅当栅极绝缘层;
- 15:56用光刻定义阱区、注入掺杂;
- 15:58做出栅极堆叠—九十纳米以下用多晶硅、
- 16:02四十五纳米以下用high-k金属栅极;
- 16:05离子注入源漏区;
- 16:07快速热退火激活掺杂;
- 16:09最后开接触孔、淀积硅化物形成低电阻接触。
- 16:14每一步之后都要做一道叫C M P的工艺,
- 16:16全称是化学机械抛光,用纳米级磨料和化学浆把表面磨平到原子级。
- 16:22前端工序大约持续六到八周。
- 16:26完成后晶圆上有几十亿到几百亿颗晶体管,
- 16:29但它们之间还没有任何"线"。
- 16:32第三阶段:后端工序。
- 16:34英文叫B E O L,全称Back-End-Of-Line。
- 16:37这是给晶体管"接线"的环节。
- 16:39这是Huawei这次S A Q P专利的核心战场。
- 16:43现代芯片有十到二十层金属互联,叠在晶体管之上。
- 16:48每一层,先淀积一层介电材料,用光刻和等离子刻蚀挖出沟槽和过孔—英文叫vias,
- 16:56然后用一种叫双大马士革电镀工艺的方法,
- 17:00把铜填进去。
- 17:02先镀一层钽和氮化钽的阻挡层防止铜扩散进硅,
- 17:05再电镀铜把沟槽填满,再用C M P把多余的铜磨掉。
- 17:10一层一层往上叠。
- 17:12最底层叫M1、M2、M3,线宽最细—5纳米节点的最底层金属线宽,
- 17:19叫metal pitch,h,大约三十纳米。
- 17:22越往上越粗,最上面几层M10以上走的是电源和时钟信号,
- 17:27跨越整颗芯片。
- 17:29一颗现代C P U里所有铜线接起来,
- 17:32总长度有几十公里。
- 17:34第四阶段:晶圆测试。
- 17:35一张探针卡,带着几千根针尖,去触碰晶圆上每一颗die,
- 17:40跑一个简短的功能测试。
- 17:42坏die用墨点标记,或者记录在一份数字晶圆图里。
- 17:46"良率",英文叫yield,就是好die占总die数的比例。
- 17:51一颗5纳米节点的逻辑die的良率大约百分之七十到九十,
- 17:55取决于die的大小。
- 17:58die越大良率越低—这是反对单一巨型芯片的根本经济论据。
- 18:04第五阶段:封装与最终测试。
- 18:07把晶圆切成单颗die,绑定到基板上—基板叫B G A,
- 18:11全称是球栅阵列—灌封成型,做最终测试。
- 18:16这一步以前简单,现在变成A I芯片的瓶颈环节。
- 18:20先进封装分两类。
- 18:23第一类是2.52.52.5D封装。
- 18:24代表产品是台积电的CoWoS—全称是 Chip on Wafer on Substrate。
- 18:30它把多颗die—逻辑芯片加多颗H B M—放在一片硅中介层上。
- 18:37中介层是一片带T S V的无源硅晶圆,
- 18:40提供超高密度的芯片间走线。
- 18:43所有带H B M的Nvidia G P U都必须经过CoWoS。
- 18:46CoWoS产能至今仍是A I算力的关键瓶颈之一—台积电每年扩产一倍,
- 18:52仍供不应求。
- 18:54第二类是3D封装。
- 18:55H B M本身就是八到十二层D R A M die用T S V垂直堆起来。
- 19:00台积电SoIC、Intel Foveros、
- 19:03A M D 3 D V-Cache,
- 19:05把逻辑die堆在逻辑die上—比如把缓存堆在C P U核心上面。
- 19:11LogicFolding干的就是这件事,
- 19:13但是堆在更前端、更细粒度—这一点我们第六站详细讲。
- 19:18整个流程必须在I S O Class1洁净室里完成—每立方米空气中零点一微米尺度的颗粒数不超过十个。
- 19:26工人穿"兔子服"全身覆盖,怕一根头发、
- 19:29一片皮屑落到晶圆上毁掉一颗die。
- 19:33一座先进晶圆厂大约两百米长、一百米宽,
- 19:36里面塞着五十多台A S M L光刻机—每台两亿美元—几百台Applied Materials和Lam Research的薄膜淀积和刻蚀机、
- 19:46几十台K L A的检测设备。
- 19:48任何一台核心设备出问题,整条产线停摆。
- 19:52这就是Huawei想要在中国境内复制的整个产业链。
- 19:56第四站。
- 19:57十五个必须记住的关键词。
- 19:59下面我快速过一遍十五个最关键的术语。
- 20:02这一站你不一定要全部记住,但请放心,
- 20:06后面再听到时这里有一份参照。
- 20:09第一个,D U V,深紫外线光刻。
- 20:11波长一百九十三纳米的紫外光,来自一种叫氟化氩准分子激光器的设备。
- 20:17从二〇〇〇年代主导业界二十年,至今仍是7纳米以下绝大多数光刻层用的工具。
- 20:24中国可以买到A S M L的D U V机器—虽然最新型号也被部分限制。
- 20:29每台大约一千多万到三千万美元。
- 20:32第二个,E U V,极紫外线光刻。
- 20:35波长十三点五纳米的"光"—其实已经不是普通意义的光,
- 20:39整套设备必须在真空中工作。
- 20:42一台两亿美元,全球只有荷兰A S M L一家能造。
- 20:46二〇二五年全球总量大约三百台。
- 20:49中国买不到。
- 20:50这是中美芯片战的命门。
- 20:52第三个,S A Q P,自对准四重曝光—英文叫 Self-Aligned Quadruple Patterning。
- 20:58一种在D U V上"作弊"的工艺技巧。
- 21:01本质是用D U V跑四遍把图形精度叠加翻四倍,
- 21:05理论上可以做到D U V单次曝光做不到的密度。
- 21:09Huawei这次提交的一份编号C N119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A的专利,
- 21:13走的就是S A Q P路线。
- 21:16代价是良率、缺陷率、成本全部劣化。
- 21:20第四个,FinFET、G A A F E T、
- 21:23C F E T—三代晶体管结构。
- 21:26FinFET是二〇一一年Intel引入的鳍式晶体管,
- 21:30是过去十五年所有先进芯片的主力。
- 21:33G A A F E T—全环栅晶体管—是2纳米节点的主力,
- 21:38台积电N2、Samsung 3 G A E、
- 21:43Intel1818A都用。
- 21:45C F E T—叠层互补晶体管—是二〇三〇年之后的目标,
- 21:50把n型和p型晶体管上下叠起来。
- 21:54第五个,H B M,高带宽内存—英文是 High Bandwidth Memory。
- 21:59把八到十二颗D R A M die用T S V垂直堆起来,
- 22:03紧挨着G P U主芯片放在一片中介层上。
- 22:07这是让现代A I训练成为可能的内存技术。
- 22:11它的供应短缺是过去四年A I产业最重要的供应瓶颈。
- 22:14SK Hynix占大约百分之五十的市场份额,
- 22:18Samsung和Micron分剩下的。
- 22:21第六个,T S V,硅通孔—英文叫 Through Silicon Via。
- 22:25在硅片上用深反应离子刻蚀打出几千个直径约五微米、
- 22:30深约五十微米的小孔,填上铜,让信号能从晶圆正面一路通到背面。
- 22:36H B M的"垂直堆叠"靠的就是T S V。
- 22:41第七个,CoWoS,台积电的2.52.52.5D先进封装平台。
- 22:44把G P U die和多颗H B M一起放在一片硅中介层上、
- 22:49再封装到基板上。
- 22:50所有带H B M的Nvidia G P U都必须经过CoWoS。
- 22:55这是另一个关键瓶颈。
- 22:57第八个,chiplet,小芯片。
- 23:00把一颗大芯片拆成多颗小芯片再用封装拼回去。
- 23:04A M D MI300300、Nvidia B200200、
- 23:07GB200200、Apple M Ultra都用这条路线。
- 23:11它绕开了光刻掩膜尺寸上限—英文叫reticle limit,
- 23:15一次E U V曝光最多覆盖大约八百五十八平方毫米的面积,
- 23:19H100100已经是八百一十四平方毫米,
- 23:22接近极限。
- 23:24第九个,中介层—英文叫interposer。
- 23:27一片无源硅晶圆,专门做高密度走线,把多颗die连接起来。
- 23:33CoWoS的核心组件就是中介层。
- 23:36第十个,掩膜版,英文叫mask或reticle。
- 23:39一块刻有芯片图形的石英版—D U V用透射式,
- 23:43E U V用反射式。
- 23:44光刻就是用光透过或反射这块版把图形投影到晶圆上的光刻胶上。
- 23:50一套先进节点的掩膜版要两千万到四千万美元,
- 23:54所以只有出货量极大或单价极高的芯片才适合上最先进节点。
- 23:59第十一个,光刻胶—英文叫photoresist。
- 24:03涂在晶圆表面的光敏化学物,被光照到的部分会发生化学反应,
- 24:08变得可溶或不可溶。
- 24:10全球高端光刻胶百分之九十由JSR、Shin-Etsu、
- 24:15Tokyo Ohka等日本公司供应—这又是一个潜在的地缘瓶颈。
- 24:20第十二个,良率,英文叫yield。
- 24:22一片晶圆上"能用的die"占总die数的比例。
- 24:26良率受"缺陷密度乘以die面积"控制,
- 24:29是芯片经济学最重要的一个变量。
- 24:33SMIC7纳米的良率有多少是机密,业内估计在中等偏低区间。
- 24:38第十三个,F E O L和B E O L。
- 24:41前端工序—造晶体管—和后端工序—接金属线。
- 24:45Huawei这次的S A Q P专利是后端工序的优化—不动晶体管本身,
- 24:49只动金属互联。
- 24:51第十四个,单片三维集成,英文缩写叫M3D,
- 24:55全称Monolithic 3D。
- 24:573D。
- 24:573D。
- 24:573D。
- 24:58把多层晶体管直接在同一片硅上"长出来"—不是把成品die堆起来,
- 25:02而是在同一片晶圆上做完一层晶体管之后,
- 25:05在它上面再做出第二层晶体管。
- 25:08LogicFolding大约就是M3D思路的工业化版本。
- 25:12第十五个,UnifiedBus—Huawei这次同时公布的系统级互联协议。
- 25:18一套统一的内存编址协议,把多颗芯片当一块连续内存来访问。
- 25:23和 Nvidia 的 N V L i n k、
- 25:26A M D 的 Infinity Fabric 在同一个层级竞争。
- 25:30好,关键词建立完了。
- 25:32这里有几个会在后面反复出现—E U V、
- 25:35D U V、S A Q P、H B M、
- 25:38CoWoS、M3D。
- 25:39下面我们正式进入技术深水区。
- 25:42第五站。
- 25:43E U V是什么、为什么Huawei拿不到、
- 25:46又是怎么打算绕开的。
- 25:48要理解为什么E U V是中美芯片战的命门,
- 25:50先讲一个简单的物理。
- 25:53光刻机的工作原理是用光把图形投影到光刻胶上。
- 25:56能投影出来的最小图形尺寸,大约等于"光的波长除以透镜的数值孔径"。
- 26:02这个公式叫Rayleigh衍射极限。
- 26:05要想在芯片上画出更小的特征,要么用波长更短的光,
- 26:09要么用数值孔径更大的透镜。
- 26:12二〇〇〇年以后业界主力一直是氟化氩准分子激光器,
- 26:16波长一百九十三纳米。
- 26:18靠加水浸没—英文叫 immersion lithography—有效缩短波长。
- 26:24靠多重曝光—英文叫multi-patterning—做拼接。
- 26:28硬是把它推到了7纳米节点。
- 26:31但代价是每一层要曝光两到四遍,掩膜数量翻倍,
- 26:35缺陷率上升,吞吐率下降。
- 26:38到7纳米以下,氟化氩已经撑不住了。
- 26:41下一代是极紫外线E U V,波长十三点五纳米—比一百九十三纳米短了整整一个数量级。
- 26:47但这十几纳米的"光"在物理上已经不是普通意义的光了。
- 26:52它带来的工程困难大到不可思议。
- 26:54第一,没有任何材料对十三点五纳米透光。
- 26:58空气会在几厘米内把它吸光,玻璃、水、
- 27:01所有镜片材料都不行。
- 27:04所以E U V不能用透镜,只能用反射镜—而且不是普通的反射镜,
- 27:09是用钼和硅交替镀膜数十层、靠Bragg衍射构建相干反射的多层膜镜,
- 27:15反射率最多百分之七十。
- 27:18整个光路必须在真空里工作。
- 27:20第二,世界上没有E U V激光器。
- 27:23E U V光源是激光等离子体光源—一台三十千瓦的二氧化碳激光器,
- 27:29以每秒五万次的频率轰击直径三十微米的熔融锡液滴,
- 27:34先用预脉冲把它打扁,再用主脉冲把它汽化成等离子体,
- 27:39等离子体辐射出十三点五纳米的光。
- 27:42整套光源的电光转化效率大约百分之五。
- 27:46第三,掩膜版也必须是反射式的—你没法让任何东西在十三点五纳米下透光。
- 27:51最终的产物—一台E U V光刻机有一辆校车那么大,
- 27:55重一百八十吨,整机由数万个零件组成,
- 27:59运输要租一架波音747747747747747。
- 28:01售价两亿美元起,最新的High-NA版本要四亿美元。
- 28:06更关键的是—只有A S M L一家造。
- 28:09荷兰小城Veldhoven那一家公司,
- 28:11垄断了全球E U V光刻机的供应。
- 28:15它的光源子系统由A S M L收购的圣地亚哥Cymer公司—原美国公司—做。
- 28:21反射镜由德国Carl Zeiss SMT做。
- 28:25掩膜基板由日本HOYA和AGC做。
- 28:28整条E U V供应链横跨荷兰、美国、
- 28:31德国、日本—所有西方阵营国家—并且每一环都是寡头甚至独家。
- 28:38美国把这条链对中国关上了。
- 28:39二〇一九年五月Huawei被列入实体清单。
- 28:43二〇二二年十月Biden政府发布对华半导体出口管制—把E U V和十四纳米以下逻辑芯片的相关设备、
- 28:51技术、人员往中国的流动全面禁止。
- 28:55荷兰跟进,禁止A S M L向中国出售E U V。
- 28:58今天全球三百台E U V机器,全部在台湾、
- 29:02韩国、美国、日本、爱尔兰、以色列—一台都不在中国。
- 29:07这就是Huawei必须绕开的那座山。
- 29:09那Huawei怎么绕?
- 29:10两条路。
- 29:12第一条路:D U V多重曝光。
- 29:13前面提过,D U V中国还能买到。
- 29:16业界已经有成熟的多重曝光技术。
- 29:18最常见的是双重曝光,英文叫L E L E—litho-etch-litho-etch—曝光、
- 29:24刻蚀、再曝光、再刻蚀。
- 29:27要想再往下一个量级,就到四重曝光,也就是S A Q P。
- 29:32S A Q P大致流程是这样—先用D U V曝光出"主图形";
- 29:37在主图形的两侧沉积一层薄薄的"间隔层",
- 29:40英文叫spacer;
- 29:42把主图形蚀掉,留下间隔层;
- 29:44再以间隔层为基准,沉积第二轮间隔层;
- 29:48最终四倍密度的图形就出现了。
- 29:51S A Q P在概念上不难理解,难在工程。
- 29:54每一步的几纳米对位误差都会传播放大、
- 29:56间隔层厚度的均匀性要求极高、刻蚀选择比、
- 30:01化学清洗、整个流程的稳定性都要做到极致。
- 30:05全球只有台积电—在7纳米节点—和Samsung—在D R A M上—真正把S A Q P量产了,
- 30:13每一家都用了多年时间打磨良率。
- 30:16Huawei的专利C N119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A119301758A—标题叫《用于制造集成器件的金属集成方法》—讲的就是用S A Q P加D U V在后端金属互联层,
- 30:27做到二十一纳米金属间距。
- 30:30这个数字非常关键—二十一纳米金属间距,
- 30:33正是台积电N2、也就是2纳米节点的目标值。
- 30:37也就是说,如果Huawei加SMIC能把这套S A Q P工艺跑通,
- 30:42那么从最关键的金属互联层看,他们的"等效节点"已经能摸到2纳米。
- 30:47SemiAnalysis在二〇二三年十二月有一份报告,
- 30:51专门讨论E U V的下一代—High-NA E U V。
- 30:55结论非常反直觉—在1.41.41.4纳米节点之前的所有节点上,
- 30:59用现有low-NA E U V加双重曝光,
- 31:02比新一代High-NA E U V单次曝光更便宜,
- 31:06而且能做出更细的特征。
- 31:09换句话说,多重曝光路线不是"穷人版",
- 31:12它在工程上是真正可行的、甚至在某些维度上更优的路线。
- 31:16Huawei走的就是这条路—只不过他们没有E U V,
- 31:19只有D U V,所以多重曝光的层数要更多、
- 31:23工艺更激进。
- 31:25第二条路:3D堆叠—LogicFolding的真正秘密。
- 31:29S A Q P只能解决"二维上塞更密一点",
- 31:33但水平方向的物理极限就在那里。
- 31:36Huawei真正的赌注其实在第二条路—垂直方向。
- 31:40把电路从二维平面"折叠"成三维堆叠。
- 31:43这件事工业上有几种做法。
- 31:45最浅的是chiplet—把芯片切成小块再拼回来—AMD MI300300用的就是这条路,
- 31:51已经在量产。
- 31:53再深一层是3D封装—把成品的die一片片叠起来—台积电SoIC、
- 31:59Intel Foveros在这一层,
- 32:01已经在量产。
- 32:03再深一层,也是LogicFolding真正想做的事情,
- 32:05叫M3D,单片三维集成—在同一片晶圆上,
- 32:10在第一层晶体管之上,再直接长出第二层晶体管。
- 32:14M3D的难度是温度。
- 32:15第一层晶体管做完之后,硅片上已经有了精密的电路。
- 32:19要在它上面长第二层硅、做第二层晶体管,
- 32:22必须把工艺温度控制在大约四百摄氏度以下—否则下面的电路会被烧坏。
- 32:28但常规前端工艺动辄上千度。
- 32:30所以M3D需要一整套低温前端工艺,这是一个学术界研究了二十多年、
- 32:36产业界刚刚摸到门槛的领域。
- 32:39法国CEA-Leti和比利时imec—欧洲两大半导体研究机构—几年前都演示过M3D原型,
- 32:46但都没量产。
- 32:48Huawei周一说LogicFolding已经"成熟应用"到Kirin202620262026202620262026—如果属实,
- 32:53那Huawei在M3D这条路上已经走在imec和CEA-Leti之前,
- 32:57意味着他们悄悄解决了一系列困扰整个学术界十几年的问题。
- 33:03这是这次宣告里最让人怀疑、但同时也最有冲击力的一点。
- 33:07真正的核心创新点其实是—把S A Q P加M3D加UnifiedBus三件事拧在一起作为一个完整路线。
- 33:16单看每一件,业界都不陌生。
- 33:19拧在一起、押注、命名为"Tau Scaling Law"、
- 33:22"、并把它包装成一套替代摩尔定律的新框架—这才是Huawei这次真正的动作。
- 33:28第六站。
- 33:29回头细拆Huawei周一的三层武器。
- 33:32回到何庭波周一的演讲。
- 33:33她讲了三件事,每一件都对应一个层级。
- 33:36第一层武器是Tau Scaling Law。
- 33:39它的核心命题是—未来芯片性能的提升,
- 33:42不再靠"缩小特征尺寸",也就是空间缩放;
- 33:45而要靠"缩短信号传播时间",也就是时间缩放。
- 33:50τττ 是数学和物理里常用的"时间常数"符号。
- 33:54为什么这件事重要?
- 33:55回到第二站Dennard缩放死亡的那个点。
- 33:58摩尔定律死的不是"晶体管做不小",死的是"做小了也不再更快、
- 34:03更省电"。
- 34:04为什么?
- 34:05因为现代芯片里,主导功耗和延迟的,已经不是晶体管本身,
- 34:09是金属线。
- 34:11一颗H100100芯片里所有铜互联线加起来有几十公里长,
- 34:15信号沿着这些铜线跑一趟、充放电一次电容,
- 34:19消耗的能量和时间,远超晶体管开关本身。
- 34:23Huawei的论证是—既然主导矛盾已经转移到"线"上、
- 34:26转移到"信号要跑多远"上,那么衡量进步的指标也该从"空间"换成"时间"。
- 34:32Tau Scaling Law就是说—每一代芯片,
- 34:35信号在系统中传播一次所需的时间,应该减半。
- 34:39具体怎么减?
- 34:41第一,缩短物理路径—把两块互相通信的电路放得更近。
- 34:45垂直堆叠是最极端形式:原来要走十毫米的水平距离,
- 34:50现在只要走零点一微米的垂直距离。
- 34:53能耗和延迟都掉一个数量级。
- 34:56第二,优化通信协议—用更宽更慢的总线代替更窄更快的,
- 35:01把功耗和延迟同时压下来。
- 35:04第三,系统级协同—多颗芯片之间用统一寻址、
- 35:08共享内存,减少数据搬运。
- 35:11Huawei给出的数据—过去六年基于这套理论,
- 35:14他们已经设计并量产了三百八十一颗芯片。
- 35:18这个数字非常具体,不是P P T上的口号,
- 35:21是已经在产线上跑过的实物。
- 35:23这三百八十一颗里包括Ascend A I加速器系列、
- 35:27Kirin手机芯片系列、Kunpeng服务器C P U系列、
- 35:31Atlas数据中心产品。
- 35:33第二层武器是LogicFolding,
- 35:35Tau Scaling Law在芯片层面的具体实现。
- 35:39"Fold—折叠"这个比喻很形象—把原来摊开在平面上的二维电路图,
- 35:44沿着某条线"折"起来,变成上下两层。
- 35:48具体怎么"折",Huawei没公开太多细节,
- 35:51但根据他们ISCAS演讲的描述和已知的M3D学术成果,
- 35:56大致可以拼出一个轮廓。
- 35:58下层Layer1跑常规前端工艺,用S A Q P加D U V做出第一层晶体管和金属线,
- 36:04密度对标N3。
- 36:05然后是中间介电层加一层极薄的硅外延层,
- 36:09在四百度以下用低温化学气相沉积工艺,
- 36:12在第一层之上"长出"第二层薄薄的硅。
- 36:16上层Layer2做出第二层晶体管,用低温前端工艺,
- 36:19效率比常规略低、但能用。
- 36:22最后是垂直层间互联,用纳米尺度的T S V,
- 36:26直接把两层之间需要通信的电路连起来—距离从原来的几毫米水平铜线,
- 36:31缩到零点五微米的垂直短引线。
- 36:34Huawei公布的具体数字非常实在。
- 36:37Kirin202620262026202620262026晶体管密度二百三十八个百万每平方毫米—和台积电N3同一档,
- 36:43台积电N3大约二百三十个百万每平方毫米。
- 36:48比纯二维设计提升百分之五十三点五的晶体管密度—这个增量约等于"额外多出半层晶体管"。
- 36:55核心性能—也就是每时钟周期指令数,英文叫I P C—提升百分之四十一。
- 37:02这是巨大的数字。
- 37:05一般一代节点切换带来的I P C提升大约百分之十到十五。
- 37:08最大主频提升百分之十二点七,是同代二维设计典型频率提升的两倍。
- 37:14原因是垂直堆叠让最关键路径上的电容大幅下降。
- 37:18同等性能下功耗下降百分之四十一—同样巨大。
- 37:23这些数字如果属实,意味着LogicFolding不是"差强人意的替代方案",
- 37:27而是当代S O C设计的一个真正的代际跃迁。
- 37:31第三层武器是UnifiedBus,s,
- 37:33把时间缩放推广到系统级。
- 37:36UnifiedBus是Huawei自己定义的一套多颗芯片之间的统一内存编址协议。
- 37:42这件事的意思是—原来多颗G P U之间通信,
- 37:45要么靠P C I e—慢—要么靠Nvidia的N V L i n k—快但是私有协议。
- 37:53UnifiedBus是Huawei版的同类技术,
- 37:55让多颗Ascend之间可以像访问本地内存一样访问别人的内存。
- 38:00为什么这件事重要?
- 38:01因为SemiAnalysis二〇二五年四月那份关于 Huawei CloudMatrix x 384384384384384的报告里就指出了—Huawei在系统级已经做得比Nvidia更激进。
- 38:13CloudMatrix384384384384384是一个把384384384384384颗 Ascend 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 全互联的"超级节点"—比Nvidia旗舰GB200200NVL727272大五倍多。
- 38:24CloudMatrix牺牲了功耗效率—同等算力耗电是Nvidia的二点五倍—但总聚合算力BF1616达到三百P F L O Ps,
- 38:33几乎是GB200200NVL727272的两倍。
- 38:37UnifiedBus是这套系统级思路在协议层的标准化。
- 38:40结合LogicFolding在芯片层和Tau Scaling Law在理论层,
- 38:44Huawei把"芯片、封装、系统"三个层级的优化绑成了一个统一框架—这就是何庭波说的"多层级协同优化"。
- 38:53一个值得记住的对比—摩尔定律说的是"芯片"层面的事,
- 38:57Huawei的Tau Scaling Law说的是"芯片加系统"两层叠加的事。
- 39:01这是一个更宽的框架。
- 39:04摩尔定律的胜负在台积电的晶圆厂里决出,
- 39:07Tau Scaling Law的胜负要在数据中心机房决出。
- 39:10这是一个完全不同的赛道定义。
- 39:13第七站。
- 39:14市场和产业的即时反应。
- 39:16宣告之后的二十四小时,市场反应剧烈、
- 39:19清晰、有信息量。
- 39:21A股一边—上交所科创五十指数下午一度涨近百分之六,
- 39:25单日近百分之六是科创板罕见的强反应。
- 39:29中芯国际—A股代号688981688981688981688981688981688981,
- 39:32港股代号0981098109810981—涨停百分之二十。
- 39:36A股科创板的涨跌停板就是百分之二十。
- 39:41SMIC当天市值站上一万二千五百亿人民币,
- 39:44创历史新高。
- 39:46华虹半导体—A股代号688347688347688347688347688347688347,
- 39:50港股代号1347134713471347134713471347—涨停百分之二十,
- 39:54市值突破两千三百亿人民币,年初至今涨幅近一倍。
- 40:00整个A股半导体板块、先进封装板块、存储芯片板块普遍大涨。
- 40:06港股一边—Huawei自己没上市,但SMIC、
- 40:10Hua Hong的港股部分同步飙升。
- 40:12全球反应稍延迟,但方向清楚。
- 40:15A S M L—A股代号ASML—当晚A D R跌约百分之三。
- 40:21市场担心—如果D U V多重曝光真能撑到1.41.41.4纳米等效,
- 40:26A S M L High-NA E U V V 路线的远景需求会被显著削弱。
- 40:32这其实早就是SemiAnalysis二〇二三年底警告过的风险—只是这一次有人正式把这条路线挑出来对外宣告了。
- 40:40台积电A D R微跌百分之一—影响相对小,
- 40:43因为台积电仍然是西方所有先进制程的唯一选择。
- 40:48Nvidia微涨百分之零点五—市场判断"Huawei还要五年才能做出1.41.41.4纳米等效芯片,
- 40:54五年内Nvidia在中国市场的近期份额不受影响"。
- 40:58下面几个值得拆解的市场判断。
- 41:01第一—A股涨的是"信心",不是"业绩"。
- 41:03Kirin202620262026202620262026今秋发布,
- 41:05对SMIC的实际订单影响其实从今年三季度才开始体现。
- 41:10而且SMIC给Huawei代工Ascend的产能本来就快满了。
- 41:15这次涨停反映的是市场对"中国半导体自主路线得到Huawei高调背书"的整体重估,
- 41:21而不是某个具体季度的业绩超预期。
- 41:25第二—A S M L的下跌可能被高估了。
- 41:28即使Huawei路线真的成功,全球先进制程的需求总量还在涨—Apple、
- 41:33Nvidia、A M D、Qualcomm的下一代芯片都还要排队等E U V时间。
- 41:39Huawei走D U V路线,从A S M L看其实意味着多卖D U V机器—虽然单价低。
- 41:45真正的风险不是当下,是二〇三〇年之后如果High-NA E U V的需求被压制,
- 41:50A S M L高利润率的故事打折扣。
- 41:54第三—Nvidia这次的"微涨"反映了SemiAnalysis二〇二五年九月那份报告的核心判断:Huawei真正的瓶颈不是逻辑工艺,
- 42:02是H B M。
- 42:04CXMT—中国H B M主供,全称叫长鑫存储—二〇二六年最多产能约两百万颗H B M堆叠,
- 42:11只够二十五到三十万颗 Ascend 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 910C 使用。
- 42:16即使LogicFolding一切顺利、
- 42:18SMIC给Huawei拉出五百万颗逻辑die的能力,
- 42:21没有H B M也都是空die。
- 42:23这件事Huawei周一没碰,市场看得清楚。
- 42:27第四—Huawei的"系统级"路线已经被验证过一次。
- 42:30SemiAnalysis二〇二五年四月的CloudMatrix384384384384384报告里直接评价:"系统比微架构更重要这件事,
- 42:38Huawei反而比Nvidia想得更彻底"。
- 42:41Tau Scaling Law加UnifiedBus就是把这一思路从A I数据中心延伸到所有芯片产品线—从手机、
- 42:48到P C、到A I加速器、到服务器C P U。
- 42:52这是一个统一的工业战略,不是一招鲜。
- 42:55第五—科创板的兴奋背后藏着一个更大的政策信号。
- 43:00中央"大基金三期"—中国国家集成电路产业投资基金第三期—二〇二四年五月成立,
- 43:06规模三千四百四十亿人民币,明确把"先进制程突破"和"H B M国产化"列为两大优先方向。
- 43:15Tau Scaling Law的提出,
- 43:16是中国半导体自主路线在叙事层面的成型—之前讲"突破封锁"是被动的,
- 43:22现在讲"换条路赛跑"是主动的。
- 43:25这件事对吸引资本、人才、政策资源都有放大效应。
- 43:31第八站。
- 43:32地缘政治维度—这件事改不改美国的算法。
- 43:36要谈这次宣告的地缘政治冲击,得回到一个老问题—美国对华芯片出口管制到底是为了什么?
- 43:43二〇一九年到现在,管制经历了三个阶段。
- 43:46第一阶段—二〇一九年—是把Huawei这一家公司放进实体清单。
- 43:52第二阶段—二〇二二年十月—是Biden政府的全面对华半导体出口管制,
- 43:57禁止把十四纳米以下逻辑芯片相关设备、
- 44:01技术、美国人才输往中国。
- 44:03第三阶段—二〇二三到二〇二五年—是逐年加码,
- 44:08加上对H B M的限制、对E U V相关零部件的限制、
- 44:12对设计软件E D A的限制、对面向中国的Nvidia特供版—比如A100100、
- 44:18H800800、H2020—的多轮收紧。
- 44:22支持管制的核心论点是—A I能力本质上是被算力瓶颈住的。
- 44:27如果美国能保持算力领先,就能在关键的几年内保持A I模型能力领先。
- 44:33Anthropic的Dario Amodei反复用一个比喻—算力之于A I,
- 44:37相当于浓缩铀之于核武。
- 44:40一颗A I模型一旦达到能在网络空间自主发现零日漏洞的能力—Anthropic二〇二六年初内部的"Mythos Preview" " 模型据说已经能找几千个零日,
- 44:53其中有一个是OpenBSD二十七年没人发现的bug—关键的是"谁先到"。
- 44:59美国防御方先到,可以提前修补全球软件;
- 45:02中国攻击方先到,能在被防御方反应之前部署。
- 45:06反对管制的代表人物是 Nvidia C E O Jensen Huang。
- 45:10他在二〇二六年初接受Dwarkesh Patel采访时讲了几条最强的反驳。
- 45:16第一,中国其实已经有它需要的算力—Huawei一年出货数百万颗加速器,
- 45:21SMIC7纳米产能已经实在,能源充足。
- 45:25第二,算法进步主导硬件进步—Hopper到Blackwell一代算法加协同设计带来十到五十倍的提升,
- 45:33远超摩尔定律本身的每年百分之二十五。
- 45:37第三,主动让出市场是更大的战略损失—如果DeepSeek、
- 45:40Kimi、Qwen这些中国开源模型最终都被针对Huawei硬件优化,
- 45:45并通过开源扩散到东南亚、印度、中东、
- 45:49非洲,全球南方就在跑非美国栈的A I。
- 45:53Jensen反复用一个类比—美国电信产业过去三十年被"政策出去了"—美国今天的电信基础设施完全不由美国厂商主导。
- 46:01Nvidia不希望走电信的老路。
- 46:04Huawei周一的宣告,是Jensen这一派的子弹。
- 46:07它的潜台词是—就算你美国卡得再死,我们这边也会找到自己的路。
- 46:12所以你卡我,到头来只是让你自己的公司丢失市场份额,
- 46:16而不是真的能让中国A I停下来。
- 46:20从美国决策圈的角度看,这次宣告会怎么消化?
- 46:23三种声音可能同时响起。
- 46:25鹰派会说—这正好证明我们卡得不够死。
- 46:28Huawei提出Tau Scaling Law是被逼出来的—如果我们当年不卡,
- 46:33中国就只是跟着摩尔定律走、永远落后两到三年。
- 46:38现在我们卡了,反而逼出了一条美国阵营自己根本不愿意走的路—而且这条路一旦做通,
- 46:44可能反过来重塑全球先进制程的成本结构。
- 46:47所以下一步应该再加码—H B M全面禁运、
- 46:51Nvidia特供版彻底停售、E D A软件加紧封锁、
- 46:55不允许A S M L卖任何D U V给中国。
- 46:59鸽派会说—这恰恰证明卡是徒劳的。
- 47:01再卡只会让中国更快推出 Tau Scaling Law 2..0、
- 47:063.03.03.0。
- 47:07况且Huawei的1.41.41.4纳米等效要到二〇三一年,
- 47:11意味着即使他们最乐观的剧本兑现,也比台积电—二〇二八年—晚整整三年。
- 47:17这三年是美国阵营继续保持领先的窗口期。
- 47:21窗口期内最该做的是保住市场份额—把Nvidia留在中国,
- 47:26让中国的应用层继续跑在美国栈上,把Anthropic Claude、
- 47:30OpenAI ChatGPT卖到东南亚和印度,
- 47:34让世界A I应用层的标准被美国定义,
- 47:36而不是被DeepSeek定义。
- 47:39中间派会说—真正的选择不是"卡不卡",
- 47:42而是"卡什么"。
- 47:43该卡死的是真正难造的环节—E U V的光源、
- 47:46Zeiss的反射镜、CoWoS的中介层、
- 47:49SK Hynix的H B M。
- 47:51该放手的是容易替代的环节—十四纳米以上的成熟制程设备、
- 47:57消费级G P U、文本类A I模型。
- 48:00用准的钩子卡准的咽喉,而不是大棒乱打。
- 48:04值得点出的一个内在矛盾—Jensen的论证里有一处张力。
- 48:08他同时主张—A,中国已经有它需要的算力,
- 48:11所以管制无效;
- 48:12又主张—B,让出市场会让中国A I生态主导全球,
- 48:16所以管制有害。
- 48:18如果A真的成立,B的严重性就被高估了;
- 48:21如果B真的成立,A就没那么真。
- 48:23这两件事不能同时全部成立。
- 48:26诚实的回答应该是"这是一个真正的两难,
- 48:28不是一句lunacy就能打发"。
- 48:31Huawei周一的宣告,在地缘政治讨论里只是改变了一个变量的赋值,
- 48:36没有重写方程式。
- 48:37变量是—中国本土先进制程的能力上限。
- 48:41原来美国分析师的估算是"卡在7纳米等效、
- 48:44最多到5纳米等效"。
- 48:47Huawei的承诺如果兑现,这个上限会移到"3纳米等效(Kirin202620262026202620262026)、
- 48:52五年内到1.41.41.4纳米等效"。
- 48:54但方程式没变—核心的瓶颈仍然是H B M、
- 48:58CoWoS、E U V。
- 49:00谁能在这些咽喉环节卡得准、卡得久,谁就在算力供给的长期游戏里赢。
- 49:06第九站。
- 49:07未来三到五年最值得盯的五件事。
- 49:10接下来三到五年,最值得盯的是这五件事。
- 49:13第一,Kirin202620262026202620262026真实评测。
- 49:16今年秋天Huawei Mate系列旗舰手机会搭载Kirin202620262026202620262026。
- 49:21第三方实测一出,二百三十八个百万每平方毫米的密度、
- 49:25百分之四十一的I P C提升、百分之十二点七的主频提升,
- 49:29到底是真的还是P P T,立刻见真章。
- 49:32TechInsights、s、Tom's Hardware、
- 49:34AnandTech都会拆机做die shot分析、
- 49:38跑SPECint、Geekbench、
- 49:40PCMark。
- 49:41这是Huawei这套故事的第一个真正可证伪的节点。
- 49:45如果数字撑不住,整个Tau Scaling Law故事会瞬间塌掉;
- 49:48如果数字对,则证明LogicFolding在S O C上能落地。
- 49:53第二,SMIC良率。
- 49:54Tau Scaling Law的所有承诺都建立在SMIC能把S A Q P加低温前端工艺这套激进工艺,
- 50:02做出可接受良率的前提上。
- 50:04SemiAnalysis当前估计SMIC N+1—也就是7纳米等效—良率在百分之三十到四十区间,
- 50:13远低于台积电N5的百分之九十。
- 50:16如果Huawei强行上LogicFolding工艺、
- 50:19良率掉到百分之十以下,单颗Kirin的成本可能要冲到二百美元以上—比Apple的A系列还贵。
- 50:26良率是这条故事线上最容易被忽视、但物理上最硬的天花板。
- 50:31第三,H B M国产替代速度。
- 50:34前面反复讲过—逻辑芯片做出来没用,没有H B M喂不动A I模型。
- 50:40CXMT今年是H B M2,目标二〇二六年量产H B M3,
- 50:45二〇二七年H B M3e。
- 50:48这条路慢一年,Huawei的整套A I路线就推迟一年。
- 50:51这是真正的"国家级Race",比LogicFolding更值得盯。
- 50:56第四,A S M L 在 High-NA E U V 上的客户进展。
- 51:00如果SemiAnalysis二〇二三年那个判断—"low-NA E U V多重曝光打败High-NA E U V"—继续被市场验证,
- 51:08A S M L的远期估值故事会承压。
- 51:12Intel已经下单High-NA、台积电只买了一台做研发。
- 51:16市场会观察未来两到三年High-NA订单的实际节奏。
- 51:20Huawei这次发布,等于在战略层面给"D U V多重曝光路线"做了一次免费背书。
- 51:26第五,中国E D A软件。
- 51:28芯片设计完一颗die需要E D A软件,
- 51:30全球三家垄断—Synopsys、Cadence、
- 51:33Siemens EDA。
- 51:34美国从二〇二二年开始已经卡了部分E D A对中国的销售。
- 51:39如果Tau Scaling Law真要规模化,
- 51:40Huawei必须有一套自己能用的E D A。
- 51:43华大九天、Empyrean、概伦电子等中国本土E D A公司今年开始集体加速—这是另一条暗线。
- 51:52第十站。
- 51:53三个值得记住的判断。
- 51:55最后,浓缩成三句话—一年后你忘掉所有技术细节,
- 51:59希望还记得。
- 52:01第一句—Huawei提出Tau Scaling Law,
- 52:03本质上是把"做不到摩尔定律的延续"翻译成"我们走另一条路"。
- 52:08这是叙事胜利在前,工程胜利在后。
- 52:11这件事的最大力量不在于LogicFolding这单一项工艺创新—业界其实已经摸了十几年。
- 52:17它的力量在于Huawei第一次把"系统级加时间维度加多层级协同"打包成一套有名字、
- 52:24有路线图、有承诺、有时间表的完整框架—并把自己定位成这条新赛道的领跑者。
- 52:31叙事先于工程这件事在科技史上反复发生。
- 52:35当年Apple提"个人电脑"、Intel提"摩尔定律"、
- 52:39Nvidia提"加速计算",本质都是先把叙事建立起来、
- 52:43再用工程一步步去填。
- 52:46Huawei这次走的是同一条路。
- 52:48第二句—不要被"几纳米"骗,真正的胜负关键在系统级和供应链最弱环节。
- 52:54接下来五年看Huawei,不要看他们家芯片"等效几纳米"。
- 52:58这个数字越来越营销化。
- 53:01要看三件硬指标—SMIC的良率、CXMT的H B M产能、
- 53:06Ascend系列在中国大模型公司的真实推理性能。
- 53:09这三个数字共同决定中国A I算力的天花板。
- 53:13其中最严的瓶颈不在逻辑芯片,是H B M—这件事SemiAnalysis二〇二五年九月那份报告说得最清楚:Huawei一家如果手里有足够多H B M,
- 53:25二〇二六年能造出五百万颗 Ascend 910C910C910C910C910C910C910C910C910C;
- 53:30没有H B M,只能造三十万颗。
- 53:33差距十七倍。
- 53:35所有讨论LogicFolding的人,
- 53:37都该先回答"H B M从哪里来"。
- 53:40第三句—地缘政治维度上,这次宣告是Jensen Huang的子弹,
- 53:44不是Dario Amodei的子弹—但这两人的论证都各有内在张力,
- 53:48真正成熟的答案是一份精准的"咽喉清单",
- 53:51而不是"全卡"或"全放"。
- 53:54Jensen周一晚上一定笑了—Huawei主动跳出来证明"卡也卡不死、
- 53:58反而逼出新方法",正好印证了Nvidia的反管制论点。
- 54:03但Dario的核心论点其实并没有被这次宣告反驳—只要H B M、
- 54:08CoWoS、E U V的实际产能差距还在,
- 54:10美国在算力上的领先就还在窗口期内。
- 54:14真正聪明的政策不是在"全卡vs全放"之间二选一,
- 54:18而是用准的钩子卡准的咽喉—H B M、
- 54:22E U V光源、Zeiss反射镜、台积电CoWoS中介层—这四个环节是当前全球先进A I算力供给真正的咽喉,
- 54:31只要这四个还在西方阵营手里,Tau Scaling Law走得再快也只能在中国本土自循环。
- 54:38这是这次宣告之后,正确的政策对话框架。
- 54:42最后说几句话来收束这一期。
- 54:45芯片这门生意,从一九五八年Jack Kilby在Texas Instruments焊出第一颗集成电路开始,
- 54:51到今天近七十年。
- 54:53它的整个历史,就是几何上不断把东西做小的历史。
- 54:57第一颗集成电路有三个晶体管。
- 55:00今天Nvidia B200200有两千零八十亿。
- 55:03但物理就是物理。
- 55:04原子有大小,光有波长,电压有下限。
- 55:08我们最终都要面对一个问题—当你不能再把东西做小,
- 55:12你怎么继续让它更强?
- 55:15Tau Scaling Law是Huawei的回答—3D堆叠加系统级整合加时间作为新的优化维度。
- 55:21这个答案对不对、能不能兑现,要看下一个五到十年。
- 55:26但它至少重新定义了赛道—告诉世界—摩尔定律不是芯片演化的唯一路径,
- 55:31只是其中一条。
- 55:33站在我们这边—作为今天每天都在用ChatGPT、
- 55:37用Claude、用各种A I工具的普通人—这件事和我们的生活的关联是:未来五到十年,
- 55:43我们身边的A I模型大概率会跑在不止一家芯片公司的硅片上。
- 55:49Nvidia仍然会是主力,但Huawei Ascend、
- 55:51Google T P U、U、A M D MI系列、
- 55:54苹果自家的硅、各国主权A I项目自研的芯片,
- 55:58会越来越多地分一杯羹。
- 56:00单一供应商的世界正在变成多极的世界。
- 56:02这是好事,也是复杂的事。
- 56:05听完这期节目,希望你以后看到"5纳米""3纳米""1.41.41.4纳米"这些词的时候,
- 56:11能稍微多一点抵抗营销的能力—把它换算成每平方毫米多少颗晶体管、
- 56:16再问一句"这是哪家的节点、跟台积电同代的对应是什么"。
- 56:21然后你就比百分之九十九的财经新闻读者听得更深一层。
- 56:26这是The Long View的特辑。
- 56:28我们下期节目见。